STU6N62K3
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| Numero parte | STU6N62K3 |
| PNEDA Part # | STU6N62K3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 117.036 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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STU6N62K3 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STU6N62K3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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STU6N62K3 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH3™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 620V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 875pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 697pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V Funzione FET Depletion Mode Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-268 Pacchetto / Custodia TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-MSOP Pacchetto / Custodia 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
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