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STU4N80K5

STU4N80K5

Solo per riferimento

Numero parte STU4N80K5
PNEDA Part # STU4N80K5
Descrizione MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 49.698
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STU4N80K5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTU4N80K5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STU4N80K5, STU4N80K5 Datasheet (Totale pagine: 23, Dimensioni: 1.294,61 KB)
PDFSTF4N80K5 Datasheet Copertura
STF4N80K5 Datasheet Pagina 2 STF4N80K5 Datasheet Pagina 3 STF4N80K5 Datasheet Pagina 4 STF4N80K5 Datasheet Pagina 5 STF4N80K5 Datasheet Pagina 6 STF4N80K5 Datasheet Pagina 7 STF4N80K5 Datasheet Pagina 8 STF4N80K5 Datasheet Pagina 9 STF4N80K5 Datasheet Pagina 10 STF4N80K5 Datasheet Pagina 11

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STU4N80K5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSuperMESH5™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds175pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)60W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreIPAK (TO-251)
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-6 (SOT-363)

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300A (DC)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 230µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13178pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-HSOF-8-1

Pacchetto / Custodia

8-PowerSFN

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1996pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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33mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 8V

Vgs (massimo)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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-

Dissipazione di potenza (max)

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