STTH8S06B-TR
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| Numero parte | STTH8S06B-TR |
| PNEDA Part # | STTH8S06B-TR |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.696 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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STTH8S06B-TR Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STTH8S06B-TR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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STTH8S06B-TR Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | ECOPACK® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 3.4V @ 8A |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 18ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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Produttore Cree/Wolfspeed Serie Z-Rec® Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 2A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 167pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 560mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 17ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 60V Capacità @ Vr, F 510pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore CFP15 Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 6A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore R-6 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 35V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 20A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 35V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 20A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 160ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
