STP7NM60N
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| Numero parte | STP7NM60N |
| PNEDA Part # | STP7NM60N |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220AB |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.568 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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STP7NM60N Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STP7NM60N |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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STP7NM60N Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ II |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-236 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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