STP20NM60FP
Solo per riferimento
| Numero parte | STP20NM60FP |
| PNEDA Part # | STP20NM60FP |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.862 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STP20NM60FP Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | STP20NM60FP |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- STP20NM60FP Datasheet
- where to find STP20NM60FP
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STP20NM60FP
- STP20NM60FP PDF Datasheet
- STP20NM60FP Stock
- STP20NM60FP Pinout
- Datasheet STP20NM60FP
- STP20NM60FP Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STP20NM60FP Price
- STP20NM60FP Distributor
STP20NM60FP Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Nexperia USA Inc. Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 569pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 44W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 930mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 540mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Microchip Technology Serie TinyFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 568mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
