STP16NS25
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| Numero parte | STP16NS25 |
| PNEDA Part # | STP16NS25 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.550 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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STP16NS25 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STP16NS25 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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STP16NS25 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | MESH OVERLAY™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 140W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS V® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 175A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 21600pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 700W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP® Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC |
Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ M2-EP Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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