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STL120N8F7

STL120N8F7

Solo per riferimento

Numero parte STL120N8F7
PNEDA Part # STL120N8F7
Descrizione MOSFET N-CH 80V 120A
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.138
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 30 - lug 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STL120N8F7 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTL120N8F7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STL120N8F7, STL120N8F7 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 834,12 KB)
PDFSTL120N8F7 Datasheet Copertura
STL120N8F7 Datasheet Pagina 2 STL120N8F7 Datasheet Pagina 3 STL120N8F7 Datasheet Pagina 4 STL120N8F7 Datasheet Pagina 5 STL120N8F7 Datasheet Pagina 6 STL120N8F7 Datasheet Pagina 7 STL120N8F7 Datasheet Pagina 8 STL120N8F7 Datasheet Pagina 9 STL120N8F7 Datasheet Pagina 10 STL120N8F7 Datasheet Pagina 11

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STL120N8F7 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ F7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4570pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)4.8W (Ta), 140W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (5x6)
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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Produttore

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Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

76A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

310W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 790µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 300V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

130W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P(N)

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

RD3L08BGNTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3620pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

119W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

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2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Vgs (massimo)

±20V

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

760mW (Ta), 25.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

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