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STH320N4F6-6

STH320N4F6-6

Solo per riferimento

Numero parte STH320N4F6-6
PNEDA Part # STH320N4F6-6
Descrizione MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.514
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STH320N4F6-6 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTH320N4F6-6
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STH320N4F6-6, STH320N4F6-6 Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 882,91 KB)
PDFSTH320N4F6-6 Datasheet Copertura
STH320N4F6-6 Datasheet Pagina 2 STH320N4F6-6 Datasheet Pagina 3 STH320N4F6-6 Datasheet Pagina 4 STH320N4F6-6 Datasheet Pagina 5 STH320N4F6-6 Datasheet Pagina 6 STH320N4F6-6 Datasheet Pagina 7 STH320N4F6-6 Datasheet Pagina 8 STH320N4F6-6 Datasheet Pagina 9 STH320N4F6-6 Datasheet Pagina 10 STH320N4F6-6 Datasheet Pagina 11

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STH320N4F6-6 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C200A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13800pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2PAK-6
Pacchetto / CustodiaTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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Produttore

IXYS

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

88A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

600W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Pacchetto / Custodia

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SI1021R-T1-E3

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

190mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 15V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-75A

Pacchetto / Custodia

SC-75A

NTLUS4C16NTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

µCool™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.37W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-UDFN (1.6x1.6)

Pacchetto / Custodia

6-PowerUFDFN

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

188mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.75V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

800mW (Ta), 15W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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