STGYA120M65DF2
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| Numero parte | STGYA120M65DF2 |
| PNEDA Part # | STGYA120M65DF2 |
| Descrizione | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 11.172 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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STGYA120M65DF2 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGYA120M65DF2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
STGYA120M65DF2, STGYA120M65DF2 Datasheet
(Totale pagine: 17, Dimensioni: 987,19 KB)
  
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STGYA120M65DF2 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | * |
| Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 160A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 360A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 120A |
| Potenza - Max | 625W |
| Switching Energy | 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 420nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 66ns/185ns |
| Condizione di test | 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 202ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MAX247™ |
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