STGWT30H65FB
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| Numero parte | STGWT30H65FB |
| PNEDA Part # | STGWT30H65FB |
| Descrizione | IGBT 650V 30A 260W TO3PL |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.700 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGWT30H65FB Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGWT30H65FB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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STGWT30H65FB Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 30A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 260W |
| Switching Energy | 151µJ (on), 293µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 149nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 37ns/146ns |
| Condizione di test | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
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Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Potenza - Max 463W Switching Energy 260µJ (on), 250µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 90nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 13ns/55ns Condizione di test 400V, 30A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
