STGW8M120DF3
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| Numero parte | STGW8M120DF3 |
| PNEDA Part # | STGW8M120DF3 |
| Descrizione | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.048 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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STGW8M120DF3 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGW8M120DF3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
STGW8M120DF3, STGW8M120DF3 Datasheet
(Totale pagine: 17, Dimensioni: 1.005,31 KB)
  
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STGW8M120DF3 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | M |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 16A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 32A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 8A |
| Potenza - Max | 167W |
| Switching Energy | 390µJ (on), 370µJ (Off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 32nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 20ns/126ns |
| Condizione di test | 600V, 8A, 33Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 103ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
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