STGW80H65FB
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| Numero parte | STGW80H65FB | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | STGW80H65FB | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 650V 120A 469W TO-247 | ||||||||||||||||||
| Produttore | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 33 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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STGW80H65FB Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGW80H65FB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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STGW80H65FB Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 120A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Potenza - Max | 469W |
| Switching Energy | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 414nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 84ns/280ns |
| Condizione di test | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
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Produttore STMicroelectronics Serie PowerMESH™ Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 12A Potenza - Max 130W Switching Energy 135µJ (on), 815µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 54.5nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17.5ns/175ns Condizione di test 480V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Potenza - Max 167W Switching Energy 200µJ (on), 130µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 116nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 38ns/149ns Condizione di test 400V, 20A, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 40ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 23A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Potenza - Max 100W Switching Energy 130µJ (on), 130µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 51nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 25ns/99ns Condizione di test 480V, 12A, 23Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
