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STGW30H60DFB

STGW30H60DFB

Solo per riferimento

Numero parte STGW30H60DFB
PNEDA Part # STGW30H60DFB
Descrizione IGBT 600V 60A 260W TO247
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.424
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STGW30H60DFB Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTGW30H60DFB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
STGW30H60DFB, STGW30H60DFB Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 1.431,97 KB)
PDFSTGWA30H60DFB Datasheet Copertura
STGWA30H60DFB Datasheet Pagina 2 STGWA30H60DFB Datasheet Pagina 3 STGWA30H60DFB Datasheet Pagina 4 STGWA30H60DFB Datasheet Pagina 5 STGWA30H60DFB Datasheet Pagina 6 STGWA30H60DFB Datasheet Pagina 7 STGWA30H60DFB Datasheet Pagina 8 STGWA30H60DFB Datasheet Pagina 9 STGWA30H60DFB Datasheet Pagina 10 STGWA30H60DFB Datasheet Pagina 11

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STGW30H60DFB Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
Potenza - Max260W
Switching Energy383µJ (on), 293µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge149nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C37ns/146ns
Condizione di test400V, 30A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)53ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

54A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

55µJ (on), 50µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

78nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/96ns

Condizione di test

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Produttore

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Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

56A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

410µJ (on), 230µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

77nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/60ns

Condizione di test

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Potenza - Max

428W

Switching Energy

1.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

280nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

45ns/556ns

Condizione di test

600V, 30A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

34A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

55µJ (on), 60µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

37nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

11ns/100ns

Condizione di test

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

34ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Gate Charge

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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