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STGD7NB120S-1

STGD7NB120S-1

Solo per riferimento

Numero parte STGD7NB120S-1
PNEDA Part # STGD7NB120S-1
Descrizione IGBT 1200V 10A 55W IPAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STGD7NB120S-1 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTGD7NB120S-1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
STGD7NB120S-1, STGD7NB120S-1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 120,9 KB)
PDFSTGD7NB120S-1 Datasheet Copertura
STGD7NB120S-1 Datasheet Pagina 2 STGD7NB120S-1 Datasheet Pagina 3 STGD7NB120S-1 Datasheet Pagina 4 STGD7NB120S-1 Datasheet Pagina 5 STGD7NB120S-1 Datasheet Pagina 6

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STGD7NB120S-1 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 7A
Potenza - Max55W
Switching Energy15mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge29nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C570ns/-
Condizione di test960V, 7A, 1kOhm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitoreI-PAK

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

650µJ (on), 650µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

170nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

81ns/190ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

72ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IRG4PH50S-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

57A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

114A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 33A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

167nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

32ns/845ns

Condizione di test

960V, 33A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

NGTG15N60S1EG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 15A

Potenza - Max

117W

Switching Energy

550µJ (on), 350µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

88nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

65ns/170ns

Condizione di test

400V, 15A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

FGD3245G2-F085V

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

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