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STGB7H60DF

STGB7H60DF

Solo per riferimento

Numero parte STGB7H60DF
PNEDA Part # STGB7H60DF
Descrizione IGBT 600V 14A 88W D2PAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.100
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Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STGB7H60DF Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTGB7H60DF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
STGB7H60DF, STGB7H60DF Datasheet (Totale pagine: 25, Dimensioni: 979,33 KB)
PDFSTGB7H60DF Datasheet Copertura
STGB7H60DF Datasheet Pagina 2 STGB7H60DF Datasheet Pagina 3 STGB7H60DF Datasheet Pagina 4 STGB7H60DF Datasheet Pagina 5 STGB7H60DF Datasheet Pagina 6 STGB7H60DF Datasheet Pagina 7 STGB7H60DF Datasheet Pagina 8 STGB7H60DF Datasheet Pagina 9 STGB7H60DF Datasheet Pagina 10 STGB7H60DF Datasheet Pagina 11

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STGB7H60DF Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)14A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)28A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 7A
Potenza - Max88W
Switching Energy99µJ (on), 100µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge46nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C30ns/160ns
Condizione di test400V, 7A, 47Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)136ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (D2Pak)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

119A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

395W

Switching Energy

680µJ (on), 430µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

166nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

26ns/347ns

Condizione di test

400V, 37.5A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-4

SGP07N120XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16.5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 8A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

1mJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

70nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/440ns

Condizione di test

800V, 8A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

IRG8P25N120KDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Potenza - Max

180W

Switching Energy

800µJ (on), 900µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

135nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/170ns

Condizione di test

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

70ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

76A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

152A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 39A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

110nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/250ns

Condizione di test

480V, 39A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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-

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-

Tipo di ingresso

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Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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-

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