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STF5N105K5

STF5N105K5

Solo per riferimento

Numero parte STF5N105K5
PNEDA Part # STF5N105K5
Descrizione MOSFET N-CH 1050V 3A TO-220FP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 20.544
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STF5N105K5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTF5N105K5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STF5N105K5, STF5N105K5 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 686,71 KB)
PDFSTF5N105K5 Datasheet Copertura
STF5N105K5 Datasheet Pagina 2 STF5N105K5 Datasheet Pagina 3 STF5N105K5 Datasheet Pagina 4 STF5N105K5 Datasheet Pagina 5 STF5N105K5 Datasheet Pagina 6 STF5N105K5 Datasheet Pagina 7 STF5N105K5 Datasheet Pagina 8 STF5N105K5 Datasheet Pagina 9 STF5N105K5 Datasheet Pagina 10 STF5N105K5 Datasheet Pagina 11

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STF5N105K5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)1050V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds210pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)25W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220 Full Pack
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

20W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251 (IPAK)

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

IRL3202STRR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 29A, 7V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

69W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TSM850N06CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

529pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

850mV @ 450µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.05W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.1Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

748pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

94W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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