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STF12NM60N

STF12NM60N

Solo per riferimento

Numero parte STF12NM60N
PNEDA Part # STF12NM60N
Descrizione MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.894
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STF12NM60N Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTF12NM60N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STF12NM60N, STF12NM60N Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 618,71 KB)
PDFSTW12NM60N Datasheet Copertura
STW12NM60N Datasheet Pagina 2 STW12NM60N Datasheet Pagina 3 STW12NM60N Datasheet Pagina 4 STW12NM60N Datasheet Pagina 5 STW12NM60N Datasheet Pagina 6 STW12NM60N Datasheet Pagina 7 STW12NM60N Datasheet Pagina 8 STW12NM60N Datasheet Pagina 9 STW12NM60N Datasheet Pagina 10 STW12NM60N Datasheet Pagina 11

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STF12NM60N Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs410mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.5nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds960pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)25W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

770mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

495mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.54nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

430mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

X2-DFN1006-3

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

NTY100N10G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

123A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10110pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

313W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

RDX050N50FU6

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FM

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IXTQ96N25T

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

TrenchHV™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

96A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

625W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.67nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

69pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Pacchetto / Custodia

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