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STF10N80K5

STF10N80K5

Solo per riferimento

Numero parte STF10N80K5
PNEDA Part # STF10N80K5
Descrizione MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 17.148
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STF10N80K5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTF10N80K5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STF10N80K5, STF10N80K5 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 837,21 KB)
PDFSTFU10N80K5 Datasheet Copertura
STFU10N80K5 Datasheet Pagina 2 STFU10N80K5 Datasheet Pagina 3 STFU10N80K5 Datasheet Pagina 4 STFU10N80K5 Datasheet Pagina 5 STFU10N80K5 Datasheet Pagina 6 STFU10N80K5 Datasheet Pagina 7 STFU10N80K5 Datasheet Pagina 8 STFU10N80K5 Datasheet Pagina 9 STFU10N80K5 Datasheet Pagina 10 STFU10N80K5 Datasheet Pagina 11

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STF10N80K5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds635pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

BSC016N03MSGATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

173nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13000pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 79W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Funzione FET

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Temperatura di esercizio

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