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STD4LN80K5

STD4LN80K5

Solo per riferimento

Numero parte STD4LN80K5
PNEDA Part # STD4LN80K5
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.676
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STD4LN80K5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTD4LN80K5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STD4LN80K5, STD4LN80K5 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 809,91 KB)
PDFSTD4LN80K5 Datasheet Copertura
STD4LN80K5 Datasheet Pagina 2 STD4LN80K5 Datasheet Pagina 3 STD4LN80K5 Datasheet Pagina 4 STD4LN80K5 Datasheet Pagina 5 STD4LN80K5 Datasheet Pagina 6 STD4LN80K5 Datasheet Pagina 7 STD4LN80K5 Datasheet Pagina 8 STD4LN80K5 Datasheet Pagina 9 STD4LN80K5 Datasheet Pagina 10 STD4LN80K5 Datasheet Pagina 11

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STD4LN80K5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ K5
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds122pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)60W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

210A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 105A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

375nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

24200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

695W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

IRFH6200TR2PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

49A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10890pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

TN0620N3-G-P002

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

AOT20C60

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3440pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

463W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IPP60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 490µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1819pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Venduto di recente

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

ALS70A273NT250

ALS70A273NT250

KEMET

CAP ALUM 27000UF 20% 250V SCREW

MAX3387EEUG+T

MAX3387EEUG+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/3 24TSSOP

ADM1087AKSZ-REEL7

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Analog Devices

IC SIMPLE SEQUENCER OD SC70-6

AD7305BRZ

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IC DAC 8BIT V-OUT 20SOIC

SC2596SETRT

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IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC

0154007.DR

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Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC 2SMD

SA555D

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ON Semiconductor

IC OSC SINGLE TIMER 8-SOP

MC68HC908GZ60CFA

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NXP

IC MCU 8BIT 60KB FLASH 48LQFP

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2

FC-135 32.7680KA-A5

FC-135 32.7680KA-A5

EPSON

CRYSTAL 32.7680 KHZ 12.5PF SMD

752091103GP

752091103GP

CTS Resistor Products

RES ARRAY 8 RES 10K OHM 9SRT