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STD2NK90Z-1

STD2NK90Z-1

Solo per riferimento

Numero parte STD2NK90Z-1
PNEDA Part # STD2NK90Z-1
Descrizione MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 25.392
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STD2NK90Z-1 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTD2NK90Z-1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STD2NK90Z-1, STD2NK90Z-1 Datasheet (Totale pagine: 24, Dimensioni: 557,88 KB)
PDFSTD2NK90ZT4 Datasheet Copertura
STD2NK90ZT4 Datasheet Pagina 2 STD2NK90ZT4 Datasheet Pagina 3 STD2NK90ZT4 Datasheet Pagina 4 STD2NK90ZT4 Datasheet Pagina 5 STD2NK90ZT4 Datasheet Pagina 6 STD2NK90ZT4 Datasheet Pagina 7 STD2NK90ZT4 Datasheet Pagina 8 STD2NK90ZT4 Datasheet Pagina 9 STD2NK90ZT4 Datasheet Pagina 10 STD2NK90ZT4 Datasheet Pagina 11

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STD2NK90Z-1 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSuperMESH™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.1A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds485pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)70W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI-PAK
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 140µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

245nC @ 10V

Vgs (massimo)

+20V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

19100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

188W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-7-3

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

SIHP180N60E-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

E

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1085pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

156W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

NTD4969N-35G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.4A (Ta), 41A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

837pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.38W (Ta), 26.3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

IRLMS6802TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1079pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 20V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

55W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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