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STD2NK70Z-1

STD2NK70Z-1

Solo per riferimento

Numero parte STD2NK70Z-1
PNEDA Part # STD2NK70Z-1
Descrizione MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.418
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Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STD2NK70Z-1 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTD2NK70Z-1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STD2NK70Z-1, STD2NK70Z-1 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 306,08 KB)
PDFSTD2NK70Z-1 Datasheet Copertura
STD2NK70Z-1 Datasheet Pagina 2 STD2NK70Z-1 Datasheet Pagina 3 STD2NK70Z-1 Datasheet Pagina 4 STD2NK70Z-1 Datasheet Pagina 5 STD2NK70Z-1 Datasheet Pagina 6 STD2NK70Z-1 Datasheet Pagina 7 STD2NK70Z-1 Datasheet Pagina 8 STD2NK70Z-1 Datasheet Pagina 9 STD2NK70Z-1 Datasheet Pagina 10 STD2NK70Z-1 Datasheet Pagina 11

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STD2NK70Z-1 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSuperMESH™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.6A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.4nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds280pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)45W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI-PAK
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 48V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

960W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

637pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.55Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2280pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

198W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 780mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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