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STD110NH02LT4

STD110NH02LT4

Solo per riferimento

Numero parte STD110NH02LT4
PNEDA Part # STD110NH02LT4
Descrizione MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.832
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STD110NH02LT4 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTD110NH02LT4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STD110NH02LT4, STD110NH02LT4 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 482,22 KB)
PDFSTD110NH02LT4 Datasheet Copertura
STD110NH02LT4 Datasheet Pagina 2 STD110NH02LT4 Datasheet Pagina 3 STD110NH02LT4 Datasheet Pagina 4 STD110NH02LT4 Datasheet Pagina 5 STD110NH02LT4 Datasheet Pagina 6 STD110NH02LT4 Datasheet Pagina 7 STD110NH02LT4 Datasheet Pagina 8 STD110NH02LT4 Datasheet Pagina 9 STD110NH02LT4 Datasheet Pagina 10 STD110NH02LT4 Datasheet Pagina 11

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STD110NH02LT4 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ III
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4450pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 20V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

MCMN2012-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN2020-6J

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

IRF7476TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

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IPD950P06NMSAUMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3-313

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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