STB18N55M5
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| Numero parte | STB18N55M5 |
| PNEDA Part # | STB18N55M5 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.220 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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STB18N55M5 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STB18N55M5 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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STB18N55M5 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 550V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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