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STB14NK50Z-1

STB14NK50Z-1

Solo per riferimento

Numero parte STB14NK50Z-1
PNEDA Part # STB14NK50Z-1
Descrizione MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.860
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STB14NK50Z-1 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTB14NK50Z-1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STB14NK50Z-1, STB14NK50Z-1 Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 618,98 KB)
PDFSTB14NK50Z-1 Datasheet Copertura
STB14NK50Z-1 Datasheet Pagina 2 STB14NK50Z-1 Datasheet Pagina 3 STB14NK50Z-1 Datasheet Pagina 4 STB14NK50Z-1 Datasheet Pagina 5 STB14NK50Z-1 Datasheet Pagina 6 STB14NK50Z-1 Datasheet Pagina 7 STB14NK50Z-1 Datasheet Pagina 8 STB14NK50Z-1 Datasheet Pagina 9 STB14NK50Z-1 Datasheet Pagina 10 STB14NK50Z-1 Datasheet Pagina 11

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STB14NK50Z-1 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSuperMESH™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

175nC @ 5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTTFS4C10NTWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.2A (Ta), 44A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

993pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

790mW (Ta), 23.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WDFN (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.3mOhm @ 19.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.7nC @ 10V

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Temperatura di esercizio

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