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SSVMUN5312DW1T2G

SSVMUN5312DW1T2G

Solo per riferimento

Numero parte SSVMUN5312DW1T2G
PNEDA Part # SSVMUN5312DW1T2G
Descrizione TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.244
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SSVMUN5312DW1T2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSVMUN5312DW1T2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

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SSVMUN5312DW1T2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)22kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)22kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max187mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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DDC144EU-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

NSVBC124XDXV6T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

-

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BCR 133S H6444

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

130MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

RN1903FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

-

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

PBLS4004D,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA, 700mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 40V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA, 100nA

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

600mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

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