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SST4416-T1-E3

SST4416-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SST4416-T1-E3
PNEDA Part # SST4416-T1-E3
Descrizione JFET N-CH 36V 5MA SOT-23
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.896
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST4416-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST4416-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
SST4416-T1-E3, SST4416-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 81,15 KB)
PDFSST4416-T1-E3 Datasheet Copertura
SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 7

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  • SST4416-T1-E3 Distributor

SST4416-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)30V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id3V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2.2pF @ 15V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max350mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Serie

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Tipo FET

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

10mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

180mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

200 Ohms

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

400mV @ 100nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8.2pF @ 0V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2.3V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1.7pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SMCP

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

50V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 100nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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