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SST38VF6401B-70-5I-EKE

SST38VF6401B-70-5I-EKE

Solo per riferimento

Numero parte SST38VF6401B-70-5I-EKE
PNEDA Part # SST38VF6401B-70-5I-EKE
Descrizione IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.610
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST38VF6401B-70-5I-EKE Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST38VF6401B-70-5I-EKE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST38VF6401B-70-5I-EKE, SST38VF6401B-70-5I-EKE Datasheet (Totale pagine: 62, Dimensioni: 731,58 KB)
PDFSST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Copertura
SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 2 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 3 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 4 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 5 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 6 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 7 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 8 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 9 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 10 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 11

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  • SST38VF6401B-70-5I-EKE Distributor

SST38VF6401B-70-5I-EKE Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST38
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10µs
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore48-TSOP

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50ns

Tempo di accesso

50ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

MT44K16M36RB-093E IT:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

576Mb (16M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1067MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

1.28V ~ 1.42V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-BGA (13.5x13.5)

NP5Q128AE3ESFC0E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Omneo™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

PCM (PRAM)

Tecnologia

PCM (PRAM)

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

350µs

Tempo di accesso

360µs

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SO W

CY7C131E-55NXCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-BQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

52-PQFP (10x10)

S34ML01G200BHI900

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

ML-2

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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