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SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T

SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T

Solo per riferimento

Numero parte SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T
PNEDA Part # SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T
Descrizione IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 5.418
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SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST38VF6401B-70-5I-B3KE-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T, SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T Datasheet (Totale pagine: 62, Dimensioni: 731,58 KB)
PDFSST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Copertura
SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 2 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 3 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 4 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 5 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 6 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 7 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 8 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 9 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 10 SST38VF6404B-70-5I-EKE-T Datasheet Pagina 11

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SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST38
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10µs
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (6x8)

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Produttore

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-FBGA (6x8)

DS1250W-100IND+

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-EDIP

STK14C88-NF25I

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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32-SOIC

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

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