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SST26VF032BEUIT-104I/SM

SST26VF032BEUIT-104I/SM

Solo per riferimento

Numero parte SST26VF032BEUIT-104I/SM
PNEDA Part # SST26VF032BEUIT-104I-SM
Descrizione 32MB 2.3V TO 3.6V SQI FLASH MEMO
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 23.004
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST26VF032BEUIT-104I/SM Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST26VF032BEUIT-104I/SM
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST26VF032BEUIT-104I/SM, SST26VF032BEUIT-104I/SM Datasheet (Totale pagine: 76, Dimensioni: 2.600,66 KB)
PDFSST26VF032BEUI-104I/SM Datasheet Copertura
SST26VF032BEUI-104I/SM Datasheet Pagina 2 SST26VF032BEUI-104I/SM Datasheet Pagina 3 SST26VF032BEUI-104I/SM Datasheet Pagina 4 SST26VF032BEUI-104I/SM Datasheet Pagina 5 SST26VF032BEUI-104I/SM Datasheet Pagina 6 SST26VF032BEUI-104I/SM Datasheet Pagina 7 SST26VF032BEUI-104I/SM Datasheet Pagina 8 SST26VF032BEUI-104I/SM Datasheet Pagina 9 SST26VF032BEUI-104I/SM Datasheet Pagina 10 SST26VF032BEUI-104I/SM Datasheet Pagina 11

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SST26VF032BEUIT-104I/SM Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST26 SQI®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (4M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina1.5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIJ

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (1M x 1)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOJ

MT48LC16M16A2TG-7E L:D TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

THGBMHG8C4LBAU7

Toshiba Memory America, Inc.

Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (MLC)

Dimensione della memoria

32Gb (4G x 8)

Interfaccia di memoria

eMMC

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-WFBGA (11.5x13)

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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