SSM6N815R,LF
Solo per riferimento
| Numero parte | SSM6N815R,LF |
| PNEDA Part # | SSM6N815R-LF |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.048 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 22 - apr 27 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SSM6N815R Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SSM6N815R,LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SSM6N815R,LF Datasheet
- where to find SSM6N815R,LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R,LF
- SSM6N815R,LF PDF Datasheet
- SSM6N815R,LF Stock
- SSM6N815R,LF Pinout
- Datasheet SSM6N815R,LF
- SSM6N815R,LF Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- SSM6N815R,LF Price
- SSM6N815R,LF Distributor
SSM6N815R Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1.8W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-SMD, Flat Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP-F |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.7mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2890pF @ 25V Potenza - Max 50W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 245mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 125mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V Potenza - Max 755mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-WDFN (2x2) |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 20V Potenza - Max 3.25W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 416pF @ 10V, 536pF @ 10V Potenza - Max 700mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-EMH |
