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SSM6N62TU,LF

SSM6N62TU,LF

Solo per riferimento

Numero parte SSM6N62TU,LF
PNEDA Part # SSM6N62TU-LF
Descrizione SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 45.852
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SSM6N62TU Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSM6N62TU,LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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SSM6N62TU Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 1.2V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds177pF @ 10V
Potenza - Max500mW (Ta)
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreUF6

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

572pF @ 25V

Potenza - Max

27.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8W Dual

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.45A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

265pF @ 16V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microsemi

Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

49A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

246nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11200pF @ 25V

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