SSM6K514NU,LF
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| Numero parte | SSM6K514NU,LF |
| PNEDA Part # | SSM6K514NU-LF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 12A 6-UDFNB |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 56.772 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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SSM6K514NU Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SSM6K514NU,LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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SSM6K514NU Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIX-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-UDFNB (2x2) |
| Pacchetto / Custodia | 6-WDFN Exposed Pad |
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