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SSM3K361TU,LF

SSM3K361TU,LF

Solo per riferimento

Numero parte SSM3K361TU,LF
PNEDA Part # SSM3K361TU-LF
Descrizione MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 29.460
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SSM3K361TU Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSM3K361TU,LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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SSM3K361TU Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs69mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds430pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta)
Temperatura di esercizio175°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreUFM
Pacchetto / Custodia3-SMD, Flat Leads

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

800mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

IRLR9343TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

79W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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STP13N80K5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH5™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

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IXFH80N06

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Vgs (th) (Max) @ Id

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40nC @ 10V

Vgs (massimo)

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