SSC54HE3_A/I
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| Numero parte | SSC54HE3_A/I |
| PNEDA Part # | SSC54HE3_A-I |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.778 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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SSC54HE3_A/I Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SSC54HE3_A/I |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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SSC54HE3_A/I Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 40V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 40V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 99A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 30A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 600µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 2100pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 20A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F 175pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (TO-3P) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F 6pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore SOD-123F Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 975mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 150V Capacità @ Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
