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SS36-E3/9AT

SS36-E3/9AT

Solo per riferimento

Numero parte SS36-E3/9AT
PNEDA Part # SS36-E3-9AT
Descrizione DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.262
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SS36-E3/9AT Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSS36-E3/9AT
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SS36-E3/9AT, SS36-E3/9AT Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 90 KB)
PDFSS36-7001HE3_A/I Datasheet Copertura
SS36-7001HE3_A/I Datasheet Pagina 2 SS36-7001HE3_A/I Datasheet Pagina 3 SS36-7001HE3_A/I Datasheet Pagina 4

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SS36-E3/9AT Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)60V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If750mV @ 3A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr500µA @ 60V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.2mA @ 45V

Capacità @ Vr, F

2050pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

P600, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

P600

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

SD072SC150A.T1

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

SBR8U60P5-13D

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/586

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

490mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

70pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AB, MELF (Glass)

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-213AB (MELF, LL41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

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