SS2FL4HM3/H
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| Numero parte | SS2FL4HM3/H |
| PNEDA Part # | SS2FL4HM3-H |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO-219AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.428 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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SS2FL4HM3/H Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SS2FL4HM3/H |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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SS2FL4HM3/H Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 40V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 220µA @ 40V |
| Capacità @ Vr, F | 125pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-219AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie SBR® Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 520mV @ 20A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 57ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 50V Capacità @ Vr, F 400pF @ 40V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
