SS215L MHG
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| Numero parte | SS215L MHG |
| PNEDA Part # | SS215L-MHG |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 150V 2A SUB SMA |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.544 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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SS215L MHG Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SS215L MHG |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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SS215L MHG Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-219AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 85A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
