SQS415ENW-T1_GE3
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| Numero parte | SQS415ENW-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQS415ENW-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.346 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 28 - giu 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQS415ENW-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQS415ENW-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SQS415ENW-T1_GE3, SQS415ENW-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 244,16 KB)
  
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SQS415ENW-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.1mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4825pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8W |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8W |
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