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SQM40020E_GE3

SQM40020E_GE3

Solo per riferimento

Numero parte SQM40020E_GE3
PNEDA Part # SQM40020E_GE3
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.516
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQM40020E_GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQM40020E_GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SQM40020E_GE3, SQM40020E_GE3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 314,72 KB)
PDFSQM40020E_GE3 Datasheet Copertura
SQM40020E_GE3 Datasheet Pagina 2 SQM40020E_GE3 Datasheet Pagina 3 SQM40020E_GE3 Datasheet Pagina 4 SQM40020E_GE3 Datasheet Pagina 5 SQM40020E_GE3 Datasheet Pagina 6 SQM40020E_GE3 Datasheet Pagina 7 SQM40020E_GE3 Datasheet Pagina 8

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SQM40020E_GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

59V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 35V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.69W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

TK20V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 300V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

156W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DFN-EP (8x8)

Pacchetto / Custodia

4-VSFN Exposed Pad

SSM6J511NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVII

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3350pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-UDFNB (2x2)

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

NVHL040N65S3F

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5875pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

446W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

TK7E80W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 280µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 300V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

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