SQJQ466E-T1_GE3
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Numero parte | SQJQ466E-T1_GE3 |
PNEDA Part # | SQJQ466E-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 16.812 |
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SQJQ466E-T1_GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SQJQ466E-T1_GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SQJQ466E-T1_GE3, SQJQ466E-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 171,7 KB)
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SQJQ466E-T1_GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10210pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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