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SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Solo per riferimento

Numero parte SQJB68EP-T1_GE3
PNEDA Part # SQJB68EP-T1_GE3
Descrizione MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.210
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQJB68EP-T1_GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQJB68EP-T1_GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SQJB68EP-T1_GE3, SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 283,83 KB)
PDFSQJB68EP-T1_GE3 Datasheet Copertura
SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 2 SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 3 SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 4 SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 5 SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 6 SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 7 SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 8 SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 9 SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 10

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  • SQJB68EP-T1_GE3 Distributor

SQJB68EP-T1_GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs92mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds280pF @ 25V
Potenza - Max27W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SO-8 Dual

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1472pF @ 10V

Potenza - Max

770mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerUDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W, 1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Vgs (th) (Max) @ Id

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