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SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

Solo per riferimento

Numero parte SQJB00EP-T1_GE3
PNEDA Part # SQJB00EP-T1_GE3
Descrizione MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.038
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQJB00EP-T1_GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQJB00EP-T1_GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SQJB00EP-T1_GE3, SQJB00EP-T1_GE3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 215,62 KB)
PDFSQJB00EP-T1_GE3 Datasheet Copertura
SQJB00EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 2 SQJB00EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 3 SQJB00EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 4 SQJB00EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 5 SQJB00EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 6 SQJB00EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 7

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  • SQJB00EP-T1_GE3 Distributor

SQJB00EP-T1_GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 25V
Potenza - Max48W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SO-8 Dual

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Produttore

Rohm Semiconductor

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-

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7.1pF @ 10V

Potenza - Max

120mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate, 5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V

Potenza - Max

6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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