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SQJ958EP-T1_GE3

SQJ958EP-T1_GE3

Solo per riferimento

Numero parte SQJ958EP-T1_GE3
PNEDA Part # SQJ958EP-T1_GE3
Descrizione MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.632
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQJ958EP-T1_GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQJ958EP-T1_GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SQJ958EP-T1_GE3, SQJ958EP-T1_GE3 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 225,85 KB)
PDFSQJ958EP-T1_GE3 Datasheet Copertura
SQJ958EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 2 SQJ958EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 3 SQJ958EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 4 SQJ958EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 5 SQJ958EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 6 SQJ958EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 7 SQJ958EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 8 SQJ958EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 9 SQJ958EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 10

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SQJ958EP-T1_GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34.9mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1075pF @ 30V
Potenza - Max35W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SO-8 Dual

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

830pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400mA, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.58nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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SQ3987EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

133mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 15V

Potenza - Max

1.67W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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13.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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