SQJ940EP-T1_GE3
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| Numero parte | SQJ940EP-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQJ940EP-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 47.622 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQJ940EP-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQJ940EP-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SQJ940EP-T1_GE3, SQJ940EP-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 265,32 KB)
  
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SQJ940EP-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 18A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 896pF @ 20V |
| Potenza - Max | 48W, 43W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 10V Potenza - Max 46W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
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