SQ4920EY-T1_GE3
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Numero parte | SQ4920EY-T1_GE3 |
PNEDA Part # | SQ4920EY-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 25.248 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQ4920EY-T1_GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SQ4920EY-T1_GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SQ4920EY-T1_GE3, SQ4920EY-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 184,37 KB)
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SQ4920EY-T1_GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1465pF @ 15V |
Potenza - Max | 4.4W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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