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SQ1922AEEH-T1_GE3

SQ1922AEEH-T1_GE3

Solo per riferimento

Numero parte SQ1922AEEH-T1_GE3
PNEDA Part # SQ1922AEEH-T1_GE3
Descrizione MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 26.754
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQ1922AEEH-T1_GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQ1922AEEH-T1_GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SQ1922AEEH-T1_GE3, SQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 407,4 KB)
PDFSQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet Copertura
SQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet Pagina 2 SQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet Pagina 3 SQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet Pagina 4 SQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet Pagina 5 SQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet Pagina 6 SQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet Pagina 7 SQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet Pagina 8 SQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet Pagina 9 SQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet Pagina 10 SQ1922AEEH-T1_GE3 Datasheet Pagina 11

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SQ1922AEEH-T1_GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 10V
Potenza - Max1.5W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-DSO-8

TSM8588CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

527pF @ 30V, 436pF @ 30V

Potenza - Max

1.4W (Ta), 5.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.7nC @ 4.5V

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