SPP80N03S2L-06
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| Numero parte | SPP80N03S2L-06 |
| PNEDA Part # | SPP80N03S2L-06 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.160 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SPP80N03S2L-06 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SPP80N03S2L-06 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SPP80N03S2L-06, SPP80N03S2L-06 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 415,66 KB)
  
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SPP80N03S2L-06 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 660mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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