SPD07N20GBTMA1
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| Numero parte | SPD07N20GBTMA1 |
| PNEDA Part # | SPD07N20GBTMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.412 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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SPD07N20GBTMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SPD07N20GBTMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SPD07N20GBTMA1, SPD07N20GBTMA1 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 610,88 KB)
  
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SPD07N20GBTMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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