SPB80N03S2L-05 G
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Numero parte | SPB80N03S2L-05 G |
PNEDA Part # | SPB80N03S2L-05-G |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.964 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SPB80N03S2L-05 G Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SPB80N03S2L-05 G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SPB80N03S2L-05 G, SPB80N03S2L-05 G Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 521,54 KB)
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SPB80N03S2L-05 G Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 110µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3320pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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