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SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB

Solo per riferimento

Numero parte SP8M4FU6TB
PNEDA Part # SP8M4FU6TB
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.858
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SP8M4FU6TB Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSP8M4FU6TB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SP8M4FU6TB, SP8M4FU6TB Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 105,12 KB)
PDFSP8M4FU6TB Datasheet Copertura
SP8M4FU6TB Datasheet Pagina 2 SP8M4FU6TB Datasheet Pagina 3 SP8M4FU6TB Datasheet Pagina 4 SP8M4FU6TB Datasheet Pagina 5 SP8M4FU6TB Datasheet Pagina 6

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SP8M4FU6TB Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1190pF @ 10V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 10V

Potenza - Max

140mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

CST6D

ALD114804PCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Depletion Mode

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs (th) (Max) @ Id

360mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

DMG8601UFG-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.05V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

Potenza - Max

920mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerUDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN3030-8

APTM50DUM17G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

IRF7752TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

861pF @ 25V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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